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半导体掺杂技术在现代电子科技领域占据着举足轻重的地位。简单来说,它是通过向纯净半导体材料中有意引入杂质原子,从而改变半导体电学性能的技术。在芯片制造等关键产业中,半导体掺杂技术的应用极为广泛。通过精确控制杂质种类和浓度,能让半导体具备特定的导电特性,为高性能电子器件的诞生奠定基础。接下来,让我们深入探究这一技术的奥秘。
1、半导体的常用掺杂技术主要有两种,即高扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类,第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质,第二类是产生复合中心的重金属杂质。
2、热扩散技术是对于施主或受主杂质的掺入,就需要进行较高温度的热扩散。为了让晶体中产生出大量的晶格空位,所以,就必须对晶体加热,让晶体原子的热运动加剧,以使得某些原子获得足够高的能量而离开晶格位置、留下空位。
3、离子注入技术是为了使施主或受主杂质原子能够进入到晶体中去,需要首先把杂质原子电离成离子,并用强电场加速、让这些离子获得很高的动能,然后再直接轰击晶体。
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